<< Вернуться у выбору материала

5. Лекция: Запоминающие устройства

Введите ваш запрос для начала поиска.

http://zdoroviel-msk.ru/ теплый стан просмотр темы детская стоматология в ясенево. . Что собой представляет модульная картина artstar.com.ua.

Рассматриваются основные характеристики запоминающих устройств, их классификация, иерархическое построение запоминающих устройств современных ЭВМ, построение ЗУ заданной организации на БИС ЗУ различного типа.

Памятью ЭВМ называется совокупность устройств, служащих для запоминания, хранения и выдачи информации.

Отдельные устройства, входящие в эту совокупность, называются запоминающими устройствами (ЗУ) того или иного типа.

Термин "запоминающее устройство" обычно используется, когда речь идет о принципе построения некоторого устройства памяти (например, полупроводниковое ЗУ, ЗУ на жестком магнитном диске и т.п.), а термин "память" - когда хотят подчеркнуть выполняемую устройством памяти логическую функцию или место расположения в составе оборудования ЭВМ (например, оперативная память - ОП, внешняя память и т.п.). В тех вопросах, где эти отличия не имеют принципиального значения, термины "память" и "запоминающее устройство" мы будем использовать как синонимы.

Запоминающие устройства играют важную роль в общей структуре ЭВМ. По некоторым оценкам производительность компьютера на разных классах задач на 40-50% определяется характеристиками ЗУ различных типов, входящих в его состав.

К основным параметрам, характеризующим запоминающие устройства, относятся емкость и быстродействие.

Емкость памяти - это максимальное количество данных, которое в ней может храниться.

Емкость запоминающего устройства измеряется количеством адресуемых элементов (ячеек) ЗУ и длиной ячейки в битах. В настоящее время практически все запоминающие устройства в качестве минимально адресуемого элемента используют 1 байт (1 байт = 8 двоичных разрядов (бит)). Поэтому емкость памяти обычно определяется в байтах, килобайтах (1Кбайт=210 байт), мегабайтах (1Мбайт = 220 байт), гигабайтах (1Гбайт = 230 байт) и т.д.

За одно обращение к запоминающему устройству производится считывание или запись некоторой единицы данных, называемой словом, различной для устройств разного типа. Это определяет разную организацию памяти. Например, память объемом 1 мегабайт может быть организована как 1М слов по 1 байту, или 512К слов по 2 байта каждое, или 256К слов по 4 байта и т.д.

В то же время, в каждой ЭВМ используется свое понятие машинного слова, которое применяется при определении архитектуры компьютера, в частности при его программировании, и не зависит от размерности слова памяти, используемой для построения данной ЭВМ. Например, компьютеры с архитектурой IBM PC имеют машинное слово длиной 2 байта.

Быстродействие памяти определяется продолжительностью операции обращения, то есть временем, затрачиваемым на поиск нужной информации в памяти и на ее считывание, или временем на поиск места в памяти, редназначаемого для хранения данной информации, и на ее запись:

tобр = max(tобр сч, tобр зп)

где tобр сч - быстродействие ЗУ при считывании информации; tобр зп - быстродействие ЗУ при записи.

Классификация запоминающих устройств

Запоминающие устройства можно классифицировать по целому ряду параметров и признаков. На рис. 5.1 представлена классификация по типу обращения и организации доступа к ячейкам ЗУ.

Иерархическая организация памяти в современных ЭВМ

Рис. 5.1. Классификация запоминающих устройств

По типу обращения ЗУ делятся на устройства, допускающие как чтение, так и запись информации, и постоянные запоминающие устройства (ПЗУ), предназначенные только для чтения записанных в них данных (ROM - read only memory). ЗУ первого типа используются в процессе работы процессора для хранения выполняемых программ, исходных данных, промежуточных и окончательных результатов. В ПЗУ, как правило, хранятся системные программы, необходимые для запуска компьютера в работу, а также константы. В некоторых ЭВМ, предназначенных, например, для работы в системах управления по одним и тем же неизменяемым алгоритмам, все программное обеспечение может храниться в ПЗУ.

В ЗУ с произвольным доступом (RAM - random access memory) время доступа не зависит от места расположения участка памяти (например, ОЗУ).

В ЗУ с прямым (циклическим) доступом благодаря непрерывному вращению носителя информации (например, магнитный диск - МД) возможность обращения к некоторому участку носителя циклически повторяется. Время доступа здесь зависит от взаимного расположения этого участка и головок чтения/записи и во многом определяется скоростью вращения носителя.

В ЗУ с последовательным доступом производится последовательный просмотр участков носителя информации, пока нужный участок не займет некоторое нужное положение напротив головок чтения/записи (например, магнитные ленты - МЛ).

Как отмечалось выше, основные характеристики запоминающих устройств - это емкость и быстродействие. Идеальное запоминающее устройство должно обладать бесконечно большой емкостью и иметь бесконечно малое время обращения. На практике эти параметры находятся в противоречии друг другу: в рамках одного типа ЗУ улучшение одного из них ведет к ухудшению значения другого. К тому же следует иметь в виду и экономическую целесообразность построения запоминающего устройства с теми или иными характеристиками при данном уровне развития технологии. Поэтому в настоящее время запоминающие устройства компьютера, как это и предполагал Нейман, строятся по иерархическому принципу (рис. 5.2).

Иерархическая организация памяти в современных ЭВМ

Рис. 5.2. Иерархическая организация памяти в современных ЭВМ

Иерархическая структура памяти позволяет экономически эффективно сочетать хранение больших объемов информации с быстрым доступом к информации в процессе ее обработки.

На нижнем уровне иерархии находится регистровая память - набор регистров, входящих непосредственно в состав микропроцессора (центрального процессора - CPU). Регистры CPU программно доступны и хранят информацию, наиболее часто используемую при выполнении программы: промежуточные результаты, составные части адресов, счетчики циклов и т.д. Регистровая память имеет относительно небольшой объем (до нескольких десятков машинных слов). РП работает на частоте процессора, поэтому время доступа к ней минимально. Например, при частоте работы процессора 2 ГГц время обращения к его регистрам составит всего 0,5 нс.

Оперативная память - устройство, которое служит для хранения информации (программ, исходных данных, промежуточных и конечных результатов обработки), непосредственно используемой в ходе выполнения программы в процессоре. В настоящее время объем ОП персональных компьютеров составляет несколько сотен мегабайт. Оперативная память работает на частоте системной шины и требует 6-8 циклов синхронизации шины для обращения к ней. Так, при частоте работы системной шины 100 МГц (при этом период равен 10 нс) время обращения к оперативной памяти составит несколько десятков наносекунд.

Для заполнения пробела между РП и ОП по объему и времени обращения в настоящее время используется кэш-память, которая организована как более быстродействующая (и, следовательно, более дорогая) статическая оперативная память со специальным механизмом записи и считывания информации и предназначена для хранения информации, наиболее часто используемой при работе программы. Как правило, часть кэш-памяти располагается непосредственно на кристалле микропроцессора (внутренний кэш), а часть - вне его (внешняя кэш-память). Кэш-память программно недоступна. Для обращения к ней используются аппаратные средства процессора и компьютера.

Внешняя память организуется, как правило, на магнитных и оптических дисках, магнитных лентах. Емкость дисковой памяти достигает десятков гигабайт при времени обращения менее 1 мкс. Магнитные ленты вследствие своего малого быстродействия и большой емкости используются в настоящее время в основном только как устройства резервного копирования данных, обращение к которым происходит редко, а может быть и никогда. Время обращения для них может достигать нескольких десятков секунд.

Следует отметить, что электронная вычислительная техника развивается чрезвычайно быстрыми темпами. Так, согласно эмпирическому "закону Мура", производительность компьютера удваивается приблизительно каждые 18 месяцев. Поэтому все приводимые в данном пособии количественные характеристики служат по большей части только для отражения основных соотношений и тенденций в развитии тех или иных компонентов и устройств компьютеров.

Построение ЗУ с заданной организацией

В современных ЭВМ минимальной адресуемой единицей памяти является, как правило, 1 байт. В связи с этим обмен с памятью организуется блоками, кратными этой величине: байтами, словами, двойными словами, учетверенными словами, в зависимости от выполняемой процессором команды и разрядности внешней шины данных. Такой обмен проходит под управлением специальных сигналов, поступающих по системной шине. Преобразование информации из формата ее представления на шине данных в формат, учитывающий организацию конкретных схем памяти, осуществляется специальными интерфейсными схемами. Большие интегральные схемы (БИС), на которых строятся модули памяти, являются изделиями электронной промышленности и могут иметь различную организацию. Разработчики средств вычислительной техники должны учитывать имеющуюся у них номенклатуру БИС памяти, чтобы построить запоминающее устройство необходимой емкости и организации. Для этой цели может проводиться объединение нескольких БИС либо с целью увеличения количества слов в модуле памяти, либо для наращивания разрядности каждого слова, либо с той и другой целью одновременно.

Рассмотрим варианты построения блока памяти необходимой организации при наличии заданных БИС памяти.

Построить ОЗУ с организацией 8К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*8 разрядов (рис. 5.3).

Условно-графические обозначения запоминающих устройств с различной организацией: а - 1К*8 разрядов; б - 8К*8 разрядов

Рис. 5.3. Условно-графические обозначения запоминающих устройств с различной организацией: а - 1К*8 разрядов; б - 8К*8 разрядов

В данном случае требуется построить модуль памяти, имеющий большее число слов, чем в составляющих его БИС. Модуль памяти будет состоять из восьми БИС. Для обращения к модулю памяти используется 13-разрядный адрес (А12 А0), поступающий по шине адреса (ША). Три старших разряда (А12-А10) определяют ту схему, которая в данный момент включается в работу, а каждая ячейка внутри любой БИС определяется 10-ю младшими разрядами адреса (А9-А0) (рис. 5.4).

Организация модуля памяти

Рис. 5.4. Организация модуля памяти

При единичном значении сигнала на входе выбора кристалла БИС (CS=1) выходные разряды данных находятся в третьем состоянии, то есть как бы отключены от шины (DO=Z).Таким образом, при любом значении кода на шине адреса всегда в работе находится одна и только одна из восьми БИС (рис. 5.5).

Запоминающее устройство объемом 8К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*8 разрядов

Рис. 5.5. Запоминающее устройство объемом 8К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*8 разрядов

В реальных микросхемах шины данных записи и чтения (DI и DO) обычно представляют собой общую двунаправленную шину.

Сигналы на шине управления означают: MW - сигнал записи в память, MR - сигнал чтения из памяти.

Построить ОЗУ с организацией 1К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*1 разряд (рис. 5.6).

Условно-графическое обозначение БИС с организацией 1К*1 разряд

Рис. 5.6. Условно-графическое обозначение БИС с организацией 1К*1 разряд

В данном случае требуется увеличить разрядность слова памяти. Так как все разряды одного слова должны записываться и считываться одновременно, то все БИС должны работать параллельно. Модуль памяти будет состоять из восьми БИС (рис. 5.7). Если разрабатываемый блок является частью модуля памяти, имеющего объем больше, чем 1К слов (например, 8К), то необходим специальный дешифратор, который будет дешифрировать старшие разряды адреса аналогично тому, как показано на рис. 5.5 и включать в работу данный блок.

Запоминающее устройство объемом 1К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*1 разряд

Рис. 5.7. Запоминающее устройство объемом 1К*8 разрядов на БИС с организацией 1К*1 разряд

Рейтинг@Mail.ru